東京理科大学の研究チームがスパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜を作製し、その成長温度による特性変化を解明しました。次世代エレクトロニクス材料開発のカギを握る成果です。

東京理科大学と岡山大学、京都大学などの共同研究グループが、薄膜生成時の枝分かれ現象を新たな手法で解明しました。これはBeyond 5G技術への応用が見込まれています。

東京理科大学などの研究グループが、薄膜生成時の枝分かれ現象を解明しました。この新手法は、次世代の電子デバイスに期待を寄せています。

📌 ニュース： 『無から有が生まれる』 シュウィンガー効果とは、真空から電子と陽電子が生まれる理論です。1951年、物理学者ジュリアン・シュウィンガーが予測しましたが、強力な電場が必要で、実験室で再現は困難でした。 しかし、カナダのUBCでの研究が新たな道を示しました。超流動ヘリウム⁴の薄膜を利用し、摩擦のない真空を模倣。ここで、渦と反渦が量子トンネルを通じて生成される可能性が示唆されました。 研究成果は、2025年に発表予定。これにより、理論的予測が現実の実験に繋がる可能性が広がり、量子現象の理解が深まるかもしれません。 この記事のポイントを以下のようにまとめました： シュウィンガー効果の新たな道筋🚀 シュウィンガー効果とは、強力な電場で真空から電子と陽電子が生まれる現象を指しますが、実験での再現は技術的に難しいとされていました。カナダの研究チームは、超流動ヘリウムの薄膜を使用することでこの現象の理論モデルを構築し、新たなアプローチを示しました。 渦と反渦の生成🌪️ 研究では、真空の代わりに摩擦のない超流動ヘリウムを用いて、無から渦と反渦のペアが生まれる可能性を示しました。これはシュウィンガー効果のアナログとされ、物質がない状況からも粒子が現れる様子を再現する試みです。 量子力学の深い理解へ🔍 研究は渦の質量変動を考慮し、量子トンネル効果がどのように影響するかを検討しました。この進展により、シュウィンガー効果の理解が深まり、将来的には実験によってこの神秘的な現象を観察できる可能性があります。 ※以下、出典元 ▶ 元記事を読む

隨著人工智慧 （AI） 與高性能運算 （HPC） 的浪潮席捲全球，現代晶片的運算能力達到了前所未有的水準。然而，「能力越大，熱能越高」 的鐵律，已成為電子產業持續發展中最棘手的挑戰。 過度的熱能使得系統不得不限制 CPU 和 GPU 的性能，以避免晶片老化。現在，一項來自史丹佛大學的突破性技術，也就...

東京理科大学らの研究チームが、薄膜生成時の枝分かれ現象をAIとトポロジーを活用して解明。次世代電子デバイスへの応用が期待されています。

東京理科大学などの研究グループが薄膜生成時の枝分かれ現象をトポロジーやAIを駆使して解析。これにより、次世代電子デバイスへの応用が期待されています。

東北大学 薄膜生成時の枝分かれ現象を、トポロジー・物理・AIの融合で解明 〜Beyond 5Gを支える基盤技術への応用に期待〜 2025/04/08更新

薄膜の形成過程における枝分かれ現象をトポロジーとAIで解析。新しい手法が高品質デバイスの開発に寄与する可能性を探ります。

東京理科大学と岡山大学などの共同研究が、薄膜生成時の樹枝分かれ現象を解明。AIを活用し、Beyond 5Gに必要な技術の基盤作りに貢献することが期待されています。

東京理科大学などの研究グループが、数学とAIを使い薄膜生成時の枝分かれ現象を解析。次世代電子デバイスへの応用も期待される成果です。